Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC2022

EPC2022

TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2022
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 12mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28533 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av EPC2022
EPC2022 Elektroniska komponenter
EPC2022 Försäljning
EPC2022 Leverantör
EPC2022 Distributör
EPC2022 Datatabell
EPC2022 Foton
EPC2022 Pris
EPC2022 Erbjudande
EPC2022 Lägsta pris
EPC2022 Sök
EPC2022 Köp av
EPC2022 Chip