EPC2018
TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2018
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 125°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41353 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av EPC2018
EPC2018 Elektroniska komponenter
EPC2018 Försäljning
EPC2018 Leverantör
EPC2018 Distributör
EPC2018 Datatabell
EPC2018 Foton
EPC2018 Pris
EPC2018 Erbjudande
EPC2018 Lägsta pris
EPC2018 Sök
EPC2018 Köp av
EPC2018 Chip