Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC2016C

EPC2016C

TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2016C
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30933 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av EPC2016C
EPC2016C Elektroniska komponenter
EPC2016C Försäljning
EPC2016C Leverantör
EPC2016C Distributör
EPC2016C Datatabell
EPC2016C Foton
EPC2016C Pris
EPC2016C Erbjudande
EPC2016C Lägsta pris
EPC2016C Sök
EPC2016C Köp av
EPC2016C Chip