Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC2016

EPC2016

TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2016
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 125°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36946 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av EPC2016
EPC2016 Elektroniska komponenter
EPC2016 Försäljning
EPC2016 Leverantör
EPC2016 Distributör
EPC2016 Datatabell
EPC2016 Foton
EPC2016 Pris
EPC2016 Erbjudande
EPC2016 Lägsta pris
EPC2016 Sök
EPC2016 Köp av
EPC2016 Chip