Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC2014C

EPC2014C

TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2014C
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die Outline (5-Solder Bar)
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25736 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av EPC2014C
EPC2014C Elektroniska komponenter
EPC2014C Försäljning
EPC2014C Leverantör
EPC2014C Distributör
EPC2014C Datatabell
EPC2014C Foton
EPC2014C Pris
EPC2014C Erbjudande
EPC2014C Lägsta pris
EPC2014C Sök
EPC2014C Köp av
EPC2014C Chip