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EPC2012C
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EPC2012C

TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2012C
Tillverkare/varumärke
EPC
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die Outline (4-Solder Bar)
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1.3nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
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Nyckelord av EPC2012C
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EPC2012C Distributör
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