EPC2012
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2012
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 125°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
145pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16635 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av EPC2012
EPC2012 Elektroniska komponenter
EPC2012 Försäljning
EPC2012 Leverantör
EPC2012 Distributör
EPC2012 Datatabell
EPC2012 Foton
EPC2012 Pris
EPC2012 Erbjudande
EPC2012 Lägsta pris
EPC2012 Sök
EPC2012 Köp av
EPC2012 Chip