EPC
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EPC2010C
Datablad

EPC2010C

TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2010C
Tillverkare/varumärke
EPC
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die Outline (7-Solder Bar)
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5.3nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
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Nyckelord av EPC2010C
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EPC2010C Distributör
EPC2010C Datatabell
EPC2010C Foton
EPC2010C Pris
EPC2010C Erbjudande
EPC2010C Lägsta pris
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EPC2010C Chip