EPC2010
TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2010
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 125°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43732 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av EPC2010
EPC2010 Elektroniska komponenter
EPC2010 Försäljning
EPC2010 Leverantör
EPC2010 Distributör
EPC2010 Datatabell
EPC2010 Foton
EPC2010 Pris
EPC2010 Erbjudande
EPC2010 Lägsta pris
EPC2010 Sök
EPC2010 Köp av
EPC2010 Chip