EPC
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EPC2007C
Datablad

EPC2007C

TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2007C
Tillverkare/varumärke
EPC
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die Outline (5-Solder Bar)
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1.2mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2.2nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
220pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
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Nyckelord av EPC2007C
EPC2007C Elektroniska komponenter
EPC2007C Försäljning
EPC2007C Leverantör
EPC2007C Distributör
EPC2007C Datatabell
EPC2007C Foton
EPC2007C Pris
EPC2007C Erbjudande
EPC2007C Lägsta pris
EPC2007C Sök
EPC2007C Köp av
EPC2007C Chip