DMTH10H010LCT
MOSFET 100V 108A TO220AB
Artikelnummer
DMTH10H010LCT
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
2.4W (Ta), 166W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
108A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
53.7nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2592pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46357 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av DMTH10H010LCT
DMTH10H010LCT Elektroniska komponenter
DMTH10H010LCT Försäljning
DMTH10H010LCT Leverantör
DMTH10H010LCT Distributör
DMTH10H010LCT Datatabell
DMTH10H010LCT Foton
DMTH10H010LCT Pris
DMTH10H010LCT Erbjudande
DMTH10H010LCT Lägsta pris
DMTH10H010LCT Sök
DMTH10H010LCT Köp av
DMTH10H010LCT Chip