CPMF-1200-S080B
MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
Artikelnummer
CPMF-1200-S080B
Tillverkare/varumärke
Serier
Z-FET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
313mW (Tj)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tj)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
90.8nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1915pF @ 800V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Vgs (max)
+25V, -5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7238 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av CPMF-1200-S080B
CPMF-1200-S080B Elektroniska komponenter
CPMF-1200-S080B Försäljning
CPMF-1200-S080B Leverantör
CPMF-1200-S080B Distributör
CPMF-1200-S080B Datatabell
CPMF-1200-S080B Foton
CPMF-1200-S080B Pris
CPMF-1200-S080B Erbjudande
CPMF-1200-S080B Lägsta pris
CPMF-1200-S080B Sök
CPMF-1200-S080B Köp av
CPMF-1200-S080B Chip