C3M0120090J-TR
MOSFET N-CH 900V 22A
Artikelnummer
C3M0120090J-TR
Tillverkare/varumärke
Serier
C3M™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Leverantörsenhetspaket
D2PAK-7
Effektförlust (max)
83W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 3mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17.3nC @ 15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 600V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
15V
Vgs (max)
+18V, -8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10625 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av C3M0120090J-TR
C3M0120090J-TR Elektroniska komponenter
C3M0120090J-TR Försäljning
C3M0120090J-TR Leverantör
C3M0120090J-TR Distributör
C3M0120090J-TR Datatabell
C3M0120090J-TR Foton
C3M0120090J-TR Pris
C3M0120090J-TR Erbjudande
C3M0120090J-TR Lägsta pris
C3M0120090J-TR Sök
C3M0120090J-TR Köp av
C3M0120090J-TR Chip