C3M0065090J
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Artikelnummer
C3M0065090J
Tillverkare/varumärke
Serier
C3M™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Leverantörsenhetspaket
D2PAK-7
Effektförlust (max)
113W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 600V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
15V
Vgs (max)
+19V, -8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36559 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av C3M0065090J
C3M0065090J Elektroniska komponenter
C3M0065090J Försäljning
C3M0065090J Leverantör
C3M0065090J Distributör
C3M0065090J Datatabell
C3M0065090J Foton
C3M0065090J Pris
C3M0065090J Erbjudande
C3M0065090J Lägsta pris
C3M0065090J Sök
C3M0065090J Köp av
C3M0065090J Chip