C3M0120090J
MOSFET N-CH 900V 22A
Artikelnummer
C3M0120090J
Tillverkare/varumärke
Serier
C3M™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Leverantörsenhetspaket
D2PAK-7
Effektförlust (max)
83W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 3mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17.3nC @ 15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 600V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
15V
Vgs (max)
+18V, -8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25794 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av C3M0120090J
C3M0120090J Elektroniska komponenter
C3M0120090J Försäljning
C3M0120090J Leverantör
C3M0120090J Distributör
C3M0120090J Datatabell
C3M0120090J Foton
C3M0120090J Pris
C3M0120090J Erbjudande
C3M0120090J Lägsta pris
C3M0120090J Sök
C3M0120090J Köp av
C3M0120090J Chip