C2M1000170J-TR
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
Artikelnummer
C2M1000170J-TR
Tillverkare/varumärke
Serier
C2M™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Leverantörsenhetspaket
D2PAK-7
Effektförlust (max)
78W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1700V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 500µA (Typ)
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 1000V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Vgs (max)
+25V, -10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11857 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av C2M1000170J-TR
C2M1000170J-TR Elektroniska komponenter
C2M1000170J-TR Försäljning
C2M1000170J-TR Leverantör
C2M1000170J-TR Distributör
C2M1000170J-TR Datatabell
C2M1000170J-TR Foton
C2M1000170J-TR Pris
C2M1000170J-TR Erbjudande
C2M1000170J-TR Lägsta pris
C2M1000170J-TR Sök
C2M1000170J-TR Köp av
C2M1000170J-TR Chip