C2M0080120D
MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Artikelnummer
C2M0080120D
Tillverkare/varumärke
Serier
C2M™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
192W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 1000V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Vgs (max)
+25V, -10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25321 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av C2M0080120D
C2M0080120D Elektroniska komponenter
C2M0080120D Försäljning
C2M0080120D Leverantör
C2M0080120D Distributör
C2M0080120D Datatabell
C2M0080120D Foton
C2M0080120D Pris
C2M0080120D Erbjudande
C2M0080120D Lägsta pris
C2M0080120D Sök
C2M0080120D Köp av
C2M0080120D Chip