CDBJSC5650-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Artikelnummer
CDBJSC5650-G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-2 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220F
Diodtyp
Silicon Carbide Schottky
Aktuell - Genomsnitt korrigerad (Io)
5A (DC)
Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 5A
Ström - Omvänd läckage @ Vr
100µA @ 650V
Spänning - omvänd DC (Vr) (max)
650V
Fart
No Recovery Time > 500mA (Io)
Omvänd återhämtningstid (trr)
0ns
Driftstemperatur - Junction
-55°C ~ 175°C
Kapacitans @ Vr, F
430pF @ 0V, 1MHz
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43268 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av CDBJSC5650-G
CDBJSC5650-G Elektroniska komponenter
CDBJSC5650-G Försäljning
CDBJSC5650-G Leverantör
CDBJSC5650-G Distributör
CDBJSC5650-G Datatabell
CDBJSC5650-G Foton
CDBJSC5650-G Pris
CDBJSC5650-G Erbjudande
CDBJSC5650-G Lägsta pris
CDBJSC5650-G Sök
CDBJSC5650-G Köp av
CDBJSC5650-G Chip