CDBJSC101200-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Artikelnummer
CDBJSC101200-G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-2
Leverantörsenhetspaket
TO-220-2
Diodtyp
Silicon Carbide Schottky
Aktuell - Genomsnitt korrigerad (Io)
10A (DC)
Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 10A
Ström - Omvänd läckage @ Vr
100µA @ 1200V
Spänning - omvänd DC (Vr) (max)
1200V
Fart
No Recovery Time > 500mA (Io)
Omvänd återhämtningstid (trr)
0ns
Driftstemperatur - Junction
-55°C ~ 175°C
Kapacitans @ Vr, F
780pF @ 0V, 1MHz
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42090 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av CDBJSC101200-G
CDBJSC101200-G Elektroniska komponenter
CDBJSC101200-G Försäljning
CDBJSC101200-G Leverantör
CDBJSC101200-G Distributör
CDBJSC101200-G Datatabell
CDBJSC101200-G Foton
CDBJSC101200-G Pris
CDBJSC101200-G Erbjudande
CDBJSC101200-G Lägsta pris
CDBJSC101200-G Sök
CDBJSC101200-G Köp av
CDBJSC101200-G Chip