CDBGBSC20650-G
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Artikelnummer
CDBGBSC20650-G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Diodtyp
Silicon Carbide Schottky
Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 10A
Ström - Omvänd läckage @ Vr
100µA @ 650V
Diodkonfiguration
1 Pair Common Cathode
Spänning - omvänd DC (Vr) (max)
650V
Ström - genomsnittlig likriktad (Io) (per diod)
33A (DC)
Fart
No Recovery Time > 500mA (Io)
Omvänd återhämtningstid (trr)
0ns
Driftstemperatur - Junction
-55°C ~ 175°C
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22036 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av CDBGBSC20650-G
CDBGBSC20650-G Elektroniska komponenter
CDBGBSC20650-G Försäljning
CDBGBSC20650-G Leverantör
CDBGBSC20650-G Distributör
CDBGBSC20650-G Datatabell
CDBGBSC20650-G Foton
CDBGBSC20650-G Pris
CDBGBSC20650-G Erbjudande
CDBGBSC20650-G Lägsta pris
CDBGBSC20650-G Sök
CDBGBSC20650-G Köp av
CDBGBSC20650-G Chip