CZDM1003N TR
MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
Artikelnummer
CZDM1003N TR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223
Effektförlust (max)
2W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
975pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29503 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av CZDM1003N TR
CZDM1003N TR Elektroniska komponenter
CZDM1003N TR Försäljning
CZDM1003N TR Leverantör
CZDM1003N TR Distributör
CZDM1003N TR Datatabell
CZDM1003N TR Foton
CZDM1003N TR Pris
CZDM1003N TR Erbjudande
CZDM1003N TR Lägsta pris
CZDM1003N TR Sök
CZDM1003N TR Köp av
CZDM1003N TR Chip