Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
CXDM1002N TR

CXDM1002N TR

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
Artikelnummer
CXDM1002N TR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-243AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-89
Effektförlust (max)
1.2W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29400 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av CXDM1002N TR
CXDM1002N TR Elektroniska komponenter
CXDM1002N TR Försäljning
CXDM1002N TR Leverantör
CXDM1002N TR Distributör
CXDM1002N TR Datatabell
CXDM1002N TR Foton
CXDM1002N TR Pris
CXDM1002N TR Erbjudande
CXDM1002N TR Lägsta pris
CXDM1002N TR Sök
CXDM1002N TR Köp av
CXDM1002N TR Chip