Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
CDM22010-650 SL

CDM22010-650 SL

MOSFET N-CH 10A 650V TO220
Artikelnummer
CDM22010-650 SL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
2W (Ta), 156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1168pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42561 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av CDM22010-650 SL
CDM22010-650 SL Elektroniska komponenter
CDM22010-650 SL Försäljning
CDM22010-650 SL Leverantör
CDM22010-650 SL Distributör
CDM22010-650 SL Datatabell
CDM22010-650 SL Foton
CDM22010-650 SL Pris
CDM22010-650 SL Erbjudande
CDM22010-650 SL Lägsta pris
CDM22010-650 SL Sök
CDM22010-650 SL Köp av
CDM22010-650 SL Chip