AOW20S60
MOSFET N-CH 600V 20A TO262
Artikelnummer
AOW20S60
Tillverkare/varumärke
Serier
aMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
266W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
199 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
19.8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1038pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31557 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOW20S60
AOW20S60 Elektroniska komponenter
AOW20S60 Försäljning
AOW20S60 Leverantör
AOW20S60 Distributör
AOW20S60 Datatabell
AOW20S60 Foton
AOW20S60 Pris
AOW20S60 Erbjudande
AOW20S60 Lägsta pris
AOW20S60 Sök
AOW20S60 Köp av
AOW20S60 Chip