AOV11S60
MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
Artikelnummer
AOV11S60
Tillverkare/varumärke
Serier
aMOS™
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
4-PowerTSFN
Leverantörsenhetspaket
4-DFN-EP (8x8)
Effektförlust (max)
8.3W (Ta), 156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
650mA (Ta), 8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
545pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16359 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOV11S60
AOV11S60 Elektroniska komponenter
AOV11S60 Försäljning
AOV11S60 Leverantör
AOV11S60 Distributör
AOV11S60 Datatabell
AOV11S60 Foton
AOV11S60 Pris
AOV11S60 Erbjudande
AOV11S60 Lägsta pris
AOV11S60 Sök
AOV11S60 Köp av
AOV11S60 Chip