AOT9N50
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
Artikelnummer
AOT9N50
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
192W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1042pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15657 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOT9N50
AOT9N50 Elektroniska komponenter
AOT9N50 Försäljning
AOT9N50 Leverantör
AOT9N50 Distributör
AOT9N50 Datatabell
AOT9N50 Foton
AOT9N50 Pris
AOT9N50 Erbjudande
AOT9N50 Lägsta pris
AOT9N50 Sök
AOT9N50 Köp av
AOT9N50 Chip