AOT12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Artikelnummer
AOT12N65
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
278W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
720 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2150pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13496 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOT12N65
AOT12N65 Elektroniska komponenter
AOT12N65 Försäljning
AOT12N65 Leverantör
AOT12N65 Distributör
AOT12N65 Datatabell
AOT12N65 Foton
AOT12N65 Pris
AOT12N65 Erbjudande
AOT12N65 Lägsta pris
AOT12N65 Sök
AOT12N65 Köp av
AOT12N65 Chip