AOT10N60L
MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220
Artikelnummer
AOT10N60L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53134 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOT10N60L
AOT10N60L Elektroniska komponenter
AOT10N60L Försäljning
AOT10N60L Leverantör
AOT10N60L Distributör
AOT10N60L Datatabell
AOT10N60L Foton
AOT10N60L Pris
AOT10N60L Erbjudande
AOT10N60L Lägsta pris
AOT10N60L Sök
AOT10N60L Köp av
AOT10N60L Chip