Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
AOT1100L

AOT1100L

MOSFET N-CH 100V 8A TO220
Artikelnummer
AOT1100L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 500W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Ta), 130A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4833pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35151 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av AOT1100L
AOT1100L Elektroniska komponenter
AOT1100L Försäljning
AOT1100L Leverantör
AOT1100L Distributör
AOT1100L Datatabell
AOT1100L Foton
AOT1100L Pris
AOT1100L Erbjudande
AOT1100L Lägsta pris
AOT1100L Sök
AOT1100L Köp av
AOT1100L Chip