AOT10T60L
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Artikelnummer
AOT10T60L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
208W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
700 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1346pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7947 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOT10T60L
AOT10T60L Elektroniska komponenter
AOT10T60L Försäljning
AOT10T60L Leverantör
AOT10T60L Distributör
AOT10T60L Datatabell
AOT10T60L Foton
AOT10T60L Pris
AOT10T60L Erbjudande
AOT10T60L Lägsta pris
AOT10T60L Sök
AOT10T60L Köp av
AOT10T60L Chip