AOK18N65L
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Artikelnummer
AOK18N65L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
417W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3785pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42908 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOK18N65L
AOK18N65L Elektroniska komponenter
AOK18N65L Försäljning
AOK18N65L Leverantör
AOK18N65L Distributör
AOK18N65L Datatabell
AOK18N65L Foton
AOK18N65L Pris
AOK18N65L Erbjudande
AOK18N65L Lägsta pris
AOK18N65L Sök
AOK18N65L Köp av
AOK18N65L Chip