AOI7N65
MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
Artikelnummer
AOI7N65
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
TO-251A
Effektförlust (max)
178W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.56 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1180pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28203 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOI7N65
AOI7N65 Elektroniska komponenter
AOI7N65 Försäljning
AOI7N65 Leverantör
AOI7N65 Distributör
AOI7N65 Datatabell
AOI7N65 Foton
AOI7N65 Pris
AOI7N65 Erbjudande
AOI7N65 Lägsta pris
AOI7N65 Sök
AOI7N65 Köp av
AOI7N65 Chip