AOD11S60
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Artikelnummer
AOD11S60
Tillverkare/varumärke
Serier
aMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252, (D-Pak)
Effektförlust (max)
208W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
399 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
545pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16307 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOD11S60
AOD11S60 Elektroniska komponenter
AOD11S60 Försäljning
AOD11S60 Leverantör
AOD11S60 Distributör
AOD11S60 Datatabell
AOD11S60 Foton
AOD11S60 Pris
AOD11S60 Erbjudande
AOD11S60 Lägsta pris
AOD11S60 Sök
AOD11S60 Köp av
AOD11S60 Chip