AOB7S65L
MOSFET N-CH 650V 7A TO263
Artikelnummer
AOB7S65L
Tillverkare/varumärke
Serier
aMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (D²Pak)
Effektförlust (max)
104W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
434pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40959 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOB7S65L
AOB7S65L Elektroniska komponenter
AOB7S65L Försäljning
AOB7S65L Leverantör
AOB7S65L Distributör
AOB7S65L Datatabell
AOB7S65L Foton
AOB7S65L Pris
AOB7S65L Erbjudande
AOB7S65L Lägsta pris
AOB7S65L Sök
AOB7S65L Köp av
AOB7S65L Chip