AOB411L_001
MOSFET P-CH 60V 8A TO263
Artikelnummer
AOB411L_001
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (D²Pak)
Effektförlust (max)
187W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Ta), 78A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6400pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33463 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOB411L_001
AOB411L_001 Elektroniska komponenter
AOB411L_001 Försäljning
AOB411L_001 Leverantör
AOB411L_001 Distributör
AOB411L_001 Datatabell
AOB411L_001 Foton
AOB411L_001 Pris
AOB411L_001 Erbjudande
AOB411L_001 Lägsta pris
AOB411L_001 Sök
AOB411L_001 Köp av
AOB411L_001 Chip