HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
SI2300-HXY
N-channel 20V 6A
Artikelnummer
SI2300-HXY
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Inkapsling
SOT-23
Förpackning
taping
Antal paket
3000
Beskrivning
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 20V Continuous drain current (Id): 6A Power (Pd): 350mW On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 27mΩ@4.5V, 3A
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 58120 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI2300-HXY
SI2300-HXY Elektroniska komponenter
SI2300-HXY Försäljning
SI2300-HXY Leverantör
SI2300-HXY Distributör
SI2300-HXY Datatabell
SI2300-HXY Foton
SI2300-HXY Pris
SI2300-HXY Erbjudande
SI2300-HXY Lägsta pris
SI2300-HXY Sök
SI2300-HXY Köp av
SI2300-HXY Chip