Bild kan vara representation. Se specifikationer för produktinformation.
SBRA8160T3G
60V 1A 720mV@1A 60V, 1.0A, Schottky diode
Artikelnummer
SBRA8160T3G
Kategori
diode > Schottky diode
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
SMA
Förpackning
taping
Antal paket
5000
Beskrivning
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries employ oxide passivation and epitaxial structures with metal-covered contacts. The Schottky diode is suitable for low voltage, high frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.