onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
NXH100B120H3Q0STG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Artikelnummer
NXH100B120H3Q0STG
Kategori
Power IC > Power Module
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
-
Förpackning
tray
Antal paket
24
Beskrivning
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 80099 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Nyckelord av NXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG Elektroniska komponenter
NXH100B120H3Q0STG Försäljning
NXH100B120H3Q0STG Leverantör
NXH100B120H3Q0STG Distributör
NXH100B120H3Q0STG Datatabell
NXH100B120H3Q0STG Foton
NXH100B120H3Q0STG Pris
NXH100B120H3Q0STG Erbjudande
NXH100B120H3Q0STG Lägsta pris
NXH100B120H3Q0STG Sök
NXH100B120H3Q0STG Köp av
NXH100B120H3Q0STG Chip