onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
NVD2955T4G
P channel
Artikelnummer
NVD2955T4G
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
DPAK-3
Förpackning
taping
Antal paket
2500
Beskrivning
Automotive power MOSFETs capable of withstanding high energy in avalanche and commutation modes. Suitable for low voltage high speed switching applications in power supplies, converters and power motor control. These devices are especially useful in bridge circuits where diode speed and commutation safe operating regions are critical, providing additional safety margin against unintended transient voltages. AEC-Q101 qualified MOSFETs with Production Part Approval Process (PPAP) capability for automotive applications.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 64328 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NVD2955T4G
NVD2955T4G Elektroniska komponenter
NVD2955T4G Försäljning
NVD2955T4G Leverantör
NVD2955T4G Distributör
NVD2955T4G Datatabell
NVD2955T4G Foton
NVD2955T4G Pris
NVD2955T4G Erbjudande
NVD2955T4G Lägsta pris
NVD2955T4G Sök
NVD2955T4G Köp av
NVD2955T4G Chip