onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
MJD31CT4G NPN 100V 3A 3.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor

MJD31CT4G

NPN 100V 3A 3.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor
Artikelnummer
MJD31CT4G
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
TO-252-2(DPAK)
Förpackning
taping
Antal paket
2500
Beskrivning
This bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. MJD31, MJD31C (NPN) and MJD32, MJD32C (PNP) are complementary devices.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 79690 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av MJD31CT4G
MJD31CT4G Elektroniska komponenter
MJD31CT4G Försäljning
MJD31CT4G Leverantör
MJD31CT4G Distributör
MJD31CT4G Datatabell
MJD31CT4G Foton
MJD31CT4G Pris
MJD31CT4G Erbjudande
MJD31CT4G Lägsta pris
MJD31CT4G Sök
MJD31CT4G Köp av
MJD31CT4G Chip