onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
MBRA210LT3G 10V 2A 350mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 10 V

MBRA210LT3G

10V 2A 350mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 10 V
Artikelnummer
MBRA210LT3G
Kategori
diode > Schottky diode
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
SMA (DO-214AC)
Förpackning
taping
Antal paket
5000
Beskrivning
...Using the Schottky diode potential barrier principle, a metal-silicon power diode is used. It has an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. Suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size are critical.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 60823 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av MBRA210LT3G
MBRA210LT3G Elektroniska komponenter
MBRA210LT3G Försäljning
MBRA210LT3G Leverantör
MBRA210LT3G Distributör
MBRA210LT3G Datatabell
MBRA210LT3G Foton
MBRA210LT3G Pris
MBRA210LT3G Erbjudande
MBRA210LT3G Lägsta pris
MBRA210LT3G Sök
MBRA210LT3G Köp av
MBRA210LT3G Chip