The HMHA281 and HMHA2801 series of devices include a GaAs infrared emitting diode driving a silicon phototransistor within a compact 4-pin micro-flat encapsulation. Lead spacing is 1.27 mm.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.