VBsemi (Wei Bi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
FQD12N10-VB
FQD12N10 TO252
Artikelnummer
FQD12N10-VB
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
VBsemi (Wei Bi)
Inkapsling
TO-252
Förpackning
taping
Antal paket
2500
Beskrivning
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 96549 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
P-Channel 60V 9.4A Power MOSFET, P-Channel, QFET, -60 V, -9.4 A, 185 mΩ, DPAK
onsemi (Ansemi)
N-Channel 200V 9A Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET, 200 V, 9.0 A, 280 mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 60V 11A Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK
onsemi (Ansemi)
Nyckelord av FQD12N10-VB
FQD12N10-VB Elektroniska komponenter
FQD12N10-VB Försäljning
FQD12N10-VB Leverantör
FQD12N10-VB Distributör
FQD12N10-VB Datatabell
FQD12N10-VB Foton
FQD12N10-VB Pris
FQD12N10-VB Erbjudande
FQD12N10-VB Lägsta pris
FQD12N10-VB Sök
FQD12N10-VB Köp av
FQD12N10-VB Chip