HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
FDV303N-HXY
N-channel 20V 2.3A
Artikelnummer
FDV303N-HXY
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Inkapsling
SOT-23
Förpackning
taping
Antal paket
3000
Beskrivning
MOSFET N-channel, VDSS withstand voltage 20V, ID current 2.3A, RDON on-resistance 55mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.5-1.2V,
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 88675 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FDV303N-HXY
FDV303N-HXY Elektroniska komponenter
FDV303N-HXY Försäljning
FDV303N-HXY Leverantör
FDV303N-HXY Distributör
FDV303N-HXY Datatabell
FDV303N-HXY Foton
FDV303N-HXY Pris
FDV303N-HXY Erbjudande
FDV303N-HXY Lägsta pris
FDV303N-HXY Sök
FDV303N-HXY Köp av
FDV303N-HXY Chip