onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
FDN306P
P-channel 12V 2.6A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -12V, -2.6A, 40mΩ
Artikelnummer
FDN306P
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
SOT-23
Förpackning
taping
Antal paket
3000
Beskrivning
This P-channel 1.8V specified MOSFET uses an advanced low voltage PowerTrench process. This product is ideal for battery management applications.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 99924 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
P-channel 20V 2.4A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -2.4A, 52mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 2.4A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -2.4A, 52mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 12V 2.6A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -12V, -2.6A, 40mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 1.5A P-channel, 2.5V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -1.5A, 125mΩ
onsemi (Ansemi)
Nyckelord av FDN306P
FDN306P Elektroniska komponenter
FDN306P Försäljning
FDN306P Leverantör
FDN306P Distributör
FDN306P Datatabell
FDN306P Foton
FDN306P Pris
FDN306P Erbjudande
FDN306P Lägsta pris
FDN306P Sök
FDN306P Köp av
FDN306P Chip