Bild kan vara representation. Se specifikationer för produktinformation.
ES1D
200V 1A 35ns
Artikelnummer
ES1D
Kategori
Diodes > Fast Recovery/Ultra Fast Recovery Diodes
Tillverkare/varumärke
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Inkapsling
SMA
Förpackning
taping
Antal paket
2000
Beskrivning
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 200V Average rectified current (Io): 1A Forward voltage drop (Vf): 950mV@1A Reverse current (Ir): 5uA@200V Reverse recovery time (trr ): 35ns Operating temperature: -65℃~+150℃@(Tj)
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.