TN0200K-T1-E3
MOSFET N-CH 20V SOT23-3
Artikelnummer
TN0200K-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23-3 (TO-236)
Effektförlust (max)
350mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
-
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52374 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TN0200K-T1-E3
TN0200K-T1-E3 Elektroniska komponenter
TN0200K-T1-E3 Försäljning
TN0200K-T1-E3 Leverantör
TN0200K-T1-E3 Distributör
TN0200K-T1-E3 Datatabell
TN0200K-T1-E3 Foton
TN0200K-T1-E3 Pris
TN0200K-T1-E3 Erbjudande
TN0200K-T1-E3 Lägsta pris
TN0200K-T1-E3 Sök
TN0200K-T1-E3 Köp av
TN0200K-T1-E3 Chip