SUP85N10-10P-GE3
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Artikelnummer
SUP85N10-10P-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 227W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4660pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50755 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SUP85N10-10P-GE3
SUP85N10-10P-GE3 Elektroniska komponenter
SUP85N10-10P-GE3 Försäljning
SUP85N10-10P-GE3 Leverantör
SUP85N10-10P-GE3 Distributör
SUP85N10-10P-GE3 Datatabell
SUP85N10-10P-GE3 Foton
SUP85N10-10P-GE3 Pris
SUP85N10-10P-GE3 Erbjudande
SUP85N10-10P-GE3 Lägsta pris
SUP85N10-10P-GE3 Sök
SUP85N10-10P-GE3 Köp av
SUP85N10-10P-GE3 Chip