SUD50N10-18P-GE3
MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK
Artikelnummer
SUD50N10-18P-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252, (D-Pak)
Effektförlust (max)
3W (Ta), 136.4W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.2A (Ta), 50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
18.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21961 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SUD50N10-18P-GE3
SUD50N10-18P-GE3 Elektroniska komponenter
SUD50N10-18P-GE3 Försäljning
SUD50N10-18P-GE3 Leverantör
SUD50N10-18P-GE3 Distributör
SUD50N10-18P-GE3 Datatabell
SUD50N10-18P-GE3 Foton
SUD50N10-18P-GE3 Pris
SUD50N10-18P-GE3 Erbjudande
SUD50N10-18P-GE3 Lägsta pris
SUD50N10-18P-GE3 Sök
SUD50N10-18P-GE3 Köp av
SUD50N10-18P-GE3 Chip