SUD35N10-26P-T4GE3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Artikelnummer
SUD35N10-26P-T4GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252, (D-Pak)
Effektförlust (max)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 12V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6619 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SUD35N10-26P-T4GE3
SUD35N10-26P-T4GE3 Elektroniska komponenter
SUD35N10-26P-T4GE3 Försäljning
SUD35N10-26P-T4GE3 Leverantör
SUD35N10-26P-T4GE3 Distributör
SUD35N10-26P-T4GE3 Datatabell
SUD35N10-26P-T4GE3 Foton
SUD35N10-26P-T4GE3 Pris
SUD35N10-26P-T4GE3 Erbjudande
SUD35N10-26P-T4GE3 Lägsta pris
SUD35N10-26P-T4GE3 Sök
SUD35N10-26P-T4GE3 Köp av
SUD35N10-26P-T4GE3 Chip